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◎ 中心傳感單元采用單晶硅技術,鉑金級±0.05%◎雙過載保護膜片設計,單向過壓可達40Mpa◎ 靜壓誤差在±0.05%/10Mpa內,遠非同場合電容式產品可媲美◎ 溫度性能在±0.04%/10K內,溫度影響變化小◎ 最高100:1的量程比調節,適應性更廣◎ EMC符合GB/T 18268.1-2010◎ 長期漂移:±0.15%URL/10年◎ 電源影響:±0.001%/10V(12-36V DC),可忽略不計
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